能带理论初步课程笔记


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概念总结与梳理


一、对称性与布洛赫定理

物理逻辑起点:单电子近似与周期性

为了解决多体问题,我们首先引入单电子近似,将复杂的电子-电子相互作用简化为每个电子在平均势场中运动。对于理想晶体,势场 $V(\vec{r})$ 具有严格的晶格周期性。

$$ V(\vec{r} + \vec{R}_n) = V(\vec{r}) $$

晶体中单电子薛定谔方程为:

$$ \hat{H} \psi(\vec{r}) = \left[ -\frac{\hbar^2}{2m}\nabla^2 + V(\vec{r}) \right] \psi(\vec{r}) = E \psi(\vec{r}) $$

平移算符与对易关系

定义平移算符 $\hat{T}_{\vec{R}_n}$,其作用是将波函数平移 $\vec{R}_n$:

$$ \hat{T}_{\vec{R}_n} \psi(\vec{r}) = \psi(\vec{r} + \vec{R}_n) $$

由于势场和动能算符都具有平移不变性,哈密顿量在平移操作下保持不变:

$$ [\hat{H}, \hat{T}_{\vec{R}_n}] = 0 $$

根据量子力学基本原理,对易算符具有共同的本征函数。设 $\psi(\vec{r})$ 同时是 $\hat{H}$ 和 $\hat{T}_{\vec{R}_n}$ 的本征态,对应的平移本征值为 $\lambda_{\vec{R}_n}$。

布洛赫定理的推导

由于波函数在无限晶体中必须有界,本征值的模必须为1,且需满足平移群的乘法性质,因此本征值必须具有指数形式:

$$ \hat{T}_{\vec{R}_n} \psi(\vec{r}) = e^{i\vec{k}\cdot\vec{R}_n} \psi(\vec{r}) $$

这里引入了新的量子数 $\vec{k}$,称为简约波矢。这直接导出了布洛赫定理:

$$ \psi_{\vec{k}}(\vec{r}) = e^{i\vec{k}\cdot\vec{r}} u_{\vec{k}}(\vec{r}) $$

其中 $u_{\vec{k}}(\vec{r})$ 是具有晶格周期性的函数:

$$ u_{\vec{k}}(\vec{r} + \vec{R}_n) = u_{\vec{k}}(\vec{r}) $$

物理意义:晶体电子不是被束缚在某个原子上的,而是共有化的,以调幅平面波的形式在整个晶体中运动。

图1_基本对称性与布洛赫波.png
上半部分显示周期性的原子势场,下半部分展示了被调制的波函数(包络+快速振荡),直观展示“共有化”概念。

二、倒易空间与布里渊区

倒格子的引入

为了描述周期性势场和波矢 $\vec{k}$,引入倒格子基矢 $\vec{b}_i$,满足:

$$ \vec{a}_i \cdot \vec{b}_j = 2\pi \delta_{ij} $$

任意倒格矢 $\vec{G}$ 可以表示为:

$$ \vec{G} = n_1\vec{b}_1 + n_2\vec{b}_2 + n_3\vec{b}_3 $$

布里渊区的定义

由于 $e^{i(\vec{k}+\vec{G})\cdot\vec{R}_n} = e^{i\vec{k}\cdot\vec{R}_n}$,波矢 $\vec{k}$ 和 $\vec{k}+\vec{G}$ 描述的是同一个物理状态。为了避免冗余,我们将 $\vec{k}$ 限制在第一布里渊区内。

第一布里渊区是倒易空间中的维格纳-赛兹(Wigner-Seitz)原胞,由倒易空间原点到最近邻倒格点连线的垂直平分面围成。它是分析能带结构的几何基础。

图2_倒易空间与布里渊区.png
清晰的2D倒格点阵列,红色高亮的维格纳-赛兹原胞(第一布里渊区),以及基矢标注。

三、弱场极限——近自由电子近似

物理假设与微扰

适用于简单金属(如碱金属)。假设晶格势场 $V(\vec{r})$ 很弱,作为微扰处理。零级近似为自由电子,能带是抛物线。

$$ E^0(\vec{k}) = \frac{\hbar^2 k^2}{2m} $$

势场展开为傅里叶级数:

$$ V(\vec{r}) = \sum_{\vec{G}} V_{\vec{G}} e^{i\vec{G}\cdot\vec{r}} $$

能隙的形成:简并微扰

当电子波矢 $\vec{k}$ 接近布里渊区边界时,满足布拉格反射条件:

$$ (\vec{k} - \vec{G})^2 \approx k^2 $$

此时,态 $|\vec{k}\rangle$ 和态 $|\vec{k}-\vec{G}\rangle$ 能量简并,非简并微扰论失效。必须使用简并微扰论求解久期方程:

$$ \begin{vmatrix} E^0(\vec{k}) - E & V_{\vec{G}} \\ V_{\vec{G}}^* & E^0(\vec{k}-\vec{G}) - E \end{vmatrix} = 0 $$

解得能量本征值分裂为两支:

$$ E_{\pm} = \frac{1}{2} \left[ E^0(\vec{k}) + E^0(\vec{k}-\vec{G}) \right] \pm \sqrt{\left(\frac{E^0(\vec{k}) - E^0(\vec{k}-\vec{G})}{2}\right)^2 + |V_{\vec{G}}|^2} $$

在布里渊区边界处,能量差(禁带宽度)为:

$$ E_g = 2|V_{\vec{G}}| $$

结论:周期性势场的微扰导致能带在布里渊区边界断开,形成能隙

图3_弱场与能隙.png
展示抛物线能带在 $\pm \pi/a$ 处断开,形成 $E_g$ 能隙,直观对应微扰论结果。

四、强场极限——紧束缚近似 (LCAO)

物理假设与线性组合

适用于绝缘体、半导体。假设电子主要被束缚在原子核周围,晶体波函数由孤立原子的原子轨道 $\phi(\vec{r})$ 线性叠加而成。

构造满足布洛赫定理的试探波函数(布洛赫和):

$$ \psi_{\vec{k}}(\vec{r}) = \frac{1}{\sqrt{N}} \sum_{\vec{R}_n} e^{i\vec{k}\cdot\vec{R}_n} \phi(\vec{r} - \vec{R}_n) $$

能量色散关系

计算能量期望值 $E(\vec{k}) = \langle \psi_{\vec{k}} | \hat{H} | \psi_{\vec{k}} \rangle$。对于简单立方晶格 $s$ 态电子,只考虑最近邻相互作用,能带公式为:

$$ E(\vec{k}) = E_0 - C - 2J (\cos k_x a + \cos k_y a + \cos k_z a) $$

其中 $E_0$ 是原子能级,$C$ 是库仑积分(能级位移),$J$ 是交叠积分(决定带宽)。

结论:随着原子间距减小,交叠积分 $J$ 增大,孤立的原子能级展宽成能带。能带宽度正比于 $J$。

图4_强场与紧束缚.png
余弦形式的能带图,不同颜色的线代表不同的交叠积分 $J$,展示 $J$ 越大带越宽的物理图像。

五、电子动力学与有效质量

准粒子概念

为了在半经典近似下描述晶体电子在外场(如电场)下的运动,将晶格势场的复杂作用折叠进电子的质量中,引入有效质量 $m^*$。

有效质量张量

根据群速度 $v_g = \frac{1}{\hbar}\nabla_{\vec{k}}E$ 和外力做功原理,有效质量定义为能带曲率的倒数:

$$ (m^*)^{-1}_{ij} = \frac{1}{\hbar^2} \frac{\partial^2 E}{\partial k_i \partial k_j} $$

  • 能带底部:曲率向上,$m^* > 0$,电子行为。
  • 能带顶部:曲率向下,$m^* < 0$,表现为带正电的空穴
图5_电子动力学与有效质量.png
上图是能带,下图是有效质量。清楚地看到在能带底质量为正,能带顶质量为负,拐点处质量发散。

六、局域化描述——旺尼尔函数

布洛赫与旺尼尔的对偶

布洛赫函数 $\psi_{\vec{k}}$ 是动量确定的离域态,而旺尼尔函数 $W_n(\vec{r}-\vec{R}_m)$ 是位置确定的局域态。二者通过傅里叶变换联系:

$$ W_n(\vec{r} - \vec{R}_m) = \frac{1}{\sqrt{N}} \sum_{\vec{k}} e^{-i\vec{k}\cdot\vec{R}_m} \psi_{n\vec{k}}(\vec{r}) $$

旺尼尔函数正交归一,是紧束缚近似的严格数学基础,适合处理缺陷、杂质等局域问题。

图6_旺尼尔函数.png
蓝色波形充满全空间(Bloch),红色波形局域在某一点(Wannier),形成鲜明对比。

七、统计物理——能态密度与费米面

能态密度 (DOS)

定义 $N(E)$ 为单位能量间隔内的量子态数目。利用 $k$ 空间状态均匀分布性质:

$$ N(E) = \frac{V}{4\pi^3} \int_{S_E} \frac{dS}{|\nabla_{\vec{k}} E|} $$

积分在等能面上进行。当群速度 $|\nabla_{\vec{k}} E| = 0$ 时(如能带极值点),$N(E)$ 出现范霍夫奇点。这是连接能带结构与实验谱学(如X射线发射谱)的关键纽带。

费米面

在绝对零度下,电子填充的最高能级对应的等能面称为费米面 $E(\vec{k}_F) = E_F$。费米面将 $k$ 空间分为占据区和非占据区。

  • 金属:费米面穿过能带,存在半满带,导电性好。
  • 绝缘体/半导体:费米面位于能隙之中(满带),导电性差。
图7_态密度与费米面.png
经典的 $\sqrt{E}$ 态密度曲线叠加范霍夫奇点,金色区域填充表示费米海,红色虚线为费米能级。

八、非理想情形——赝势与表面态

赝势方法

为了解释为何强势场的金属(如Al)也能用近自由电子近似描述,引入赝势。价电子波函数为了与芯电子正交,在核附近剧烈振荡,产生的动能抵消了核的强吸引势。剩余的有效势(赝势)很弱,使得微扰论重新适用。

表面电子态

晶体表面的存在破坏了周期性。在表面处,薛定谔方程允许存在复数波矢 $k = i\mu$ 的解。这种波函数在晶体内部指数衰减,在真空中也衰减,电子被局域在表面附近,形成位于能隙中的表面态(Tamm态/Shockley态)。

图8_赝势与赝波函数.png
对比了原子核附近的深势阱(虚线)与平滑的赝势(实线),以及对应的急剧振荡波函数与平滑赝波函数。

重要核心理论的回顾与推导

能带理论的核心在于周期性。因为晶格的周期性,哈密顿量有了特殊的对称性,从而决定了波函数的布洛赫形式。接着,为了算出具体的$E(\vec{k})$关系,我们必须针对势场的强弱,采取不同的微扰策略。最后,通过统计物理(费米面和能态密度)将微观能级与宏观性质联系起来。

下面将以最严谨的逻辑链条和标准的数学语言,重构这四大核心板块。

一、布洛赫定理的推导与物理本质

物理逻辑起点

晶体中单电子薛定谔方程为:
$$ \hat{H} \psi(\vec{r}) = \left[ -\frac{\hbar^2}{2m}\nabla^2 + V(\vec{r}) \right] \psi(\vec{r}) = E \psi(\vec{r}) $$
其中势场满足晶格周期性:
$$ V(\vec{r} + \vec{R}_n) = V(\vec{r}) $$
这一周期性暗示了平移对称性。为了利用这一对称性,我们引入平移算符 $\hat{T}_{\vec{R}_n}$。

算符对易性证明

定义平移算符的作用是将函数坐标平移 $\vec{R}_n$:
$$ \hat{T}_{\vec{R}_n} f(\vec{r}) = f(\vec{r} + \vec{R}_n) $$
考察哈密顿量在平移操作下的性质:
$$ \hat{T}_{\vec{R}_n} \hat{H}(\vec{r}) \psi(\vec{r}) = \hat{H}(\vec{r} + \vec{R}_n) \psi(\vec{r} + \vec{R}_n) $$
由于势场和动能算符(拉普拉斯算符)都具有平移不变性,即 $\hat{H}(\vec{r} + \vec{R}_n) = \hat{H}(\vec{r})$,因此:
$$ \hat{T}_{\vec{R}_n} \hat{H} = \hat{H} \hat{T}_{\vec{R}_n} $$
即平移算符与哈密顿量对易:
$$ [\hat{H}, \hat{T}_{\vec{R}_n}] = 0 $$
根据量子力学原理,对易算符具有共同的本征函数。

本征值的确定

设 $\psi(\vec{r})$ 同时是 $\hat{H}$ 和 $\hat{T}_{\vec{R}_n}$ 的本征函数,对应的平移本征值为 $\lambda_{\vec{R}_n}$:
$$ \hat{T}_{\vec{R}_n} \psi(\vec{r}) = \psi(\vec{r} + \vec{R}_n) = \lambda_{\vec{R}_n} \psi(\vec{r}) $$
由于波函数必须归一化(或在无限晶体中保持有界),本征值的模必须为 1:
$$ |\lambda_{\vec{R}_n}| = 1 $$
这就意味着 $\lambda_{\vec{R}_n}$ 必须是一个纯相位因子。考虑到平移的加法性质 $\hat{T}_{\vec{R}_n} \hat{T}_{\vec{R}_m} = \hat{T}_{\vec{R}_n + \vec{R}_m}$,本征值必须满足指数形式:
$$ \lambda_{\vec{R}_n} = e^{i \vec{k} \cdot \vec{R}_n} $$
这里的 $\vec{k}$ 就是引入的量子数——简约波矢

布洛赫函数形式

综上,波函数满足性质:
$$ \psi_{\vec{k}}(\vec{r} + \vec{R}_n) = e^{i \vec{k} \cdot \vec{R}_n} \psi_{\vec{k}}(\vec{r}) $$
为了满足此式,我们可以构造解的形式:
$$ \psi_{\vec{k}}(\vec{r}) = e^{i \vec{k} \cdot \vec{r}} u_{\vec{k}}(\vec{r}) $$
代入上式验证 $u_{\vec{k}}(\vec{r})$ 的性质:
$$ e^{i \vec{k} \cdot (\vec{r} + \vec{R}_n)} u_{\vec{k}}(\vec{r} + \vec{R}_n) = e^{i \vec{k} \cdot \vec{R}_n} e^{i \vec{k} \cdot \vec{r}} u_{\vec{k}}(\vec{r}) $$
消去相同项得到:
$$ u_{\vec{k}}(\vec{r} + \vec{R}_n) = u_{\vec{k}}(\vec{r}) $$
结论: 晶体电子波函数是由平面波 $e^{i \vec{k} \cdot \vec{r}}$ 和一个具有晶格周期性的函数 $u_{\vec{k}}(\vec{r})$ 调制而成的。

二、近自由电子近似(弱势场微扰)

物理逻辑

势场 $V(\vec{r})$ 很弱,可以作为微扰处理。零级近似是自由电子平面波。问题的核心在于处理布里渊区边界附近的简并微扰

能量修正公式

势场展开为傅里叶级数:
$$ V(\vec{r}) = \sum_{\vec{G}} V_{\vec{G}} e^{i \vec{G} \cdot \vec{r}} $$
根据微扰论,二级能量修正为:
$$ E_{\vec{k}} = E_{\vec{k}}^0 + V_0 + \sum_{\vec{G} \neq 0} \frac{|V_{\vec{G}}|^2}{E_{\vec{k}}^0 - E_{\vec{k}-\vec{G}}^0} $$
其中零级能量 $E_{\vec{k}}^0 = \frac{\hbar^2 k^2}{2m}$。

简并微扰与久期方程

当波矢 $\vec{k}$ 接近布里渊区边界时,满足布拉格反射条件:
$$ (\vec{k} - \vec{G})^2 \approx k^2 \implies E_{\vec{k}-\vec{G}}^0 \approx E_{\vec{k}}^0 $$
此时分母趋于零,微扰论失效,必须使用简并微扰论。取 $\psi$ 为两个简并态 $|\vec{k}\rangle$ 和 $|\vec{k}-\vec{G}\rangle$ 的线性组合:
$$ \psi = c_1 e^{i \vec{k} \cdot \vec{r}} + c_2 e^{i (\vec{k} - \vec{G}) \cdot \vec{r}} $$
代入薛定谔方程,利用正交性,得到系数 $c_1, c_2$ 的线性方程组,其有非零解的条件是系数行列式(久期方程)为零:
$$ \begin{vmatrix} E_{\vec{k}}^0 - E & V_{\vec{G}} \\ V_{\vec{G}}^* & E_{\vec{k}-\vec{G}}^0 - E \end{vmatrix} = 0 $$

能隙的产生

在布里渊区边界上,严格满足 $E_{\vec{k}}^0 = E_{\vec{k}-\vec{G}}^0$。解上述二次方程:
$$ (E_{\vec{k}}^0 - E)^2 - |V_{\vec{G}}|^2 = 0 $$
得到两个解:
$$ E_{\pm} = E_{\vec{k}}^0 \pm |V_{\vec{G}}| $$
由此产生的能量差(禁带宽度)为:
$$ E_g = E_+ - E_- = 2|V_{\vec{G}}| $$
结论: 能带在布里渊区边界断开,禁带宽度取决于晶体势场在该处的傅里叶分量模的两倍。

三、紧束缚近似(原子轨道线性组合 LCAO)

物理逻辑

势场很强,电子主要被束缚在原子核周围。晶体波函数由孤立原子的本征态 $\phi(\vec{r})$ 线性叠加而成。

试探波函数

构造满足布洛赫定理的线性组合(布洛赫和):
$$ \psi_{\vec{k}}(\vec{r}) = \frac{1}{\sqrt{N}} \sum_{\vec{R}_n} e^{i \vec{k} \cdot \vec{R}_n} \phi(\vec{r} - \vec{R}_n) $$
其中 $\phi(\vec{r})$ 是满足 $\hat{H}_{at} \phi = E_0 \phi$ 的原子轨道。

能量期望值计算

晶体哈密顿量为 $\hat{H} = \hat{H}_{at} + \Delta U(\vec{r})$,其中 $\Delta U$ 是其他原子的微扰势。计算能量期望值:
$$ E(\vec{k}) = \langle \psi_{\vec{k}} | \hat{H} | \psi_{\vec{k}} \rangle $$
展开积分(假设不同格点原子轨道正交归一):
$$ E(\vec{k}) \approx \sum_{\vec{R}_n} e^{i \vec{k} \cdot \vec{R}_n} \int \phi^*(\vec{r}) \hat{H} \phi(\vec{r} - \vec{R}_n) d\tau $$
将积分分为两部分讨论:

  1. 本位项 ($\vec{R}_n = 0$):
    $$ E_0 - \int \phi^*(\vec{r}) [-\Delta U(\vec{r})] \phi(\vec{r}) d\tau = E_0 - C $$
    这里 $C$ 是库仑积分(位移能),表示原子能级的整体平移。
  2. 近邻项 ($\vec{R}_n = \vec{\delta}$):
    $$ -\int \phi^*(\vec{r}) [-\Delta U(\vec{r})] \phi(\vec{r} - \vec{\delta}) d\tau = -J(\vec{\delta}) $$
    这里 $J$ 是交叠积分(或跳跃积分,Transfer Integral),决定了能带的宽度。

色散关系推导

只考虑最近邻原子相互作用,求和公式简化为:
$$ E(\vec{k}) = E_0 - C - \sum_{\vec{\delta}} J(\vec{\delta}) e^{i \vec{k} \cdot \vec{\delta}} $$
以简单立方晶格(晶格常数 $a$)为例,最近邻矢量为 $(\pm a, 0, 0)$ 等6个。假设 $s$ 态各向同性,即 $J$ 相等:
$$ \sum_{\vec{\delta}} e^{i \vec{k} \cdot \vec{\delta}} = e^{ik_x a} + e^{-ik_x a} + \cdots = 2(\cos k_x a + \cos k_y a + \cos k_z a) $$
最终能带公式:
$$ E(\vec{k}) = E_0 - C - 2J (\cos k_x a + \cos k_y a + \cos k_z a) $$
结论: 原子能级展宽成能带,带宽与交叠积分 $J$ 成正比。

四、能态密度与费米面

能态密度 $N(E)$

定义:单位能量间隔、单位体积内的量子态数目。
$$ N(E) dE = \frac{1}{V} \times (\text{k空间体积元内状态数}) \times 2 (\text{自旋}) $$
由于 $k$ 空间状态密度均匀为 $V/(2\pi)^3$,则:
$$ N(E) dE = \frac{2}{(2\pi)^3} \int_{E}^{E+dE} d^3k $$
将积分变换为对等能面 $S_E$ 的面积分,利用 $dE = |\nabla_{\vec{k}} E| dk_{\perp}$:
$$ d^3k = dS \cdot dk_{\perp} = dS \frac{dE}{|\nabla_{\vec{k}} E|} $$
代入得到能态密度通用公式:
$$ N(E) = \frac{1}{4\pi^3} \int_{S_E} \frac{dS}{|\nabla_{\vec{k}} E|} $$
关键点: 当群速度 $v_g = \frac{1}{\hbar}\nabla_{\vec{k}} E = 0$ 时(如能带顶或底),$N(E)$ 会出现奇异点(范霍夫奇点)。

费米面

定义:在绝对零度下,电子填充的最高能级对应的等能面。
$$ E_F = E(\vec{k}_F) $$
对于自由电子气,能量各向同性:
$$ E = \frac{\hbar^2 k^2}{2m} $$
费米面是一个球面。根据费米波矢 $k_F$ 与电子浓度 $n$ 的关系:
$$ k_F = (3\pi^2 n)^{1/3} $$
费米能量:
$$ E_F = \frac{\hbar^2}{2m} (3\pi^2 n)^{2/3} $$
物理意义:

  • 费米面将 $k$ 空间分为已占据态(内部)和未占据态(外部)。
  • 金属的导电性取决于费米面附近的电子在电场下的微小跃迁。
  • 如果费米面填满了整个布里渊区(满带),且与下一能带有能隙,则为绝缘体或半导体。

评论区

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小德
美国Level3 2025 December 10th 回复

固体能带理论的逻辑始于晶体哈密顿量的平移对称性,这直接导出了布洛赫定理,将复杂的晶体电子态锁定为调幅平面波形式;随后理论在动量空间($k$空间)分流,一端通过近自由电子近似揭示了布里渊区边界微扰导致的能隙开启,另一端借由紧束缚近似阐述了原子轨道交叠引发的能级展宽;这一微观量子图景最终通过有效质量的概念完成了向半经典动力学的映射,并结合费米-狄拉克统计与态密度的填充,确立了导体、半导体与绝缘体的根本分野,从而完整构筑了从抽象对称性到具体材料物性的物理桥梁。

核心数理逻辑总结如下:

$$
\begin{cases}
\text{基本形式 (Bloch):} & \psi_{\vec{k}}(\vec{r}) = e^{i\vec{k}\cdot\vec{r}} u_{\vec{k}}(\vec{r}) \\[8pt]
\text{能带起源 (极限):} & E(\vec{k}) \approx \begin{cases} \frac{\hbar^2k^2}{2m} \pm |V_{\vec{G}}| & (\text{弱场: 能隙 } E_g \propto V_{\vec{G}}) \\ E_{\text{atom}} - \sum_{\vec{R}} J(\vec{R}) e^{i\vec{k}\cdot\vec{R}} & (\text{强场: 带宽 } W \propto J) \end{cases} \\[15pt]
\text{宏观联结 (准粒子):} & \vec{v}_g = \frac{1}{\hbar}\nabla_{\vec{k}}E, \quad (m^*)^{-1}_{ij} = \frac{1}{\hbar^2}\frac{\partial^2 E}{\partial k_i \partial k_j}
\end{cases}
$$

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