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半导体器件物理习题增补分析详解
补漏一：第一章 / 能带与有效质量【题型18】回旋共振与有效质量计算题目：在进行硅的微波回旋共振实验时，加在某个特定方向上的恒定磁场 $B = 0.1\text{ T}$。已知此时测得的电子有效质量 $m_c^* = 0.26 m_0$（$m_0 = 9.1 \times 10^{-31}\text{ kg}$）。① 求此方向上发生回旋共振时的微波频率 $f_c$；② 若要探测到该共振，对半导体样品的平均自由时间 $\tau$ 有什么要求？解题过程：① 求回旋共振频率：回旋共振角频率 $\omega_c = \frac{qB}{m_c^*}$，且 $\omega_c = 2\pi f_c$。代入国际单位制（SI）：$$f_c = \frac{qB}{2\pi m_c^*} = \frac{1.602\times 10^{-19} \times 0.1}{2\times 3.1416 \times 0.26 \times 9.1 \times 10^{-31}}$$$$f_c = \frac{1.602 \times 10^{-20}}{1.486 \times 10^{-30}} \approx 1.078 \times 10^{10}\text{ Hz} = 10.78\text{ GHz}$$（此频率位于微波波段）② 观测条件：为了能观测到明显的共振吸收峰，电子在发生碰撞散射前，至少必须能完成几次完整的回旋运动。数学条件为：$\omega_c \tau \ge 1$ 或至少 $\omega_c \tau > 1$。因此要求：$\tau \ge \frac{1}{\omega_c} = \frac{1}{2\pi f_c} = \frac{1}{6.77 \times 10^{10}} \approx 1.48 \times 10^{-11}\text{ s}$。（这就要求实验必须在极低温下进行，以减弱声子散射，增大 $\tau$）。✎ 批注：这是第一章唯一能出计算大题的地方。注意全部换算为国际单位（SI）（磁场用 T，质量用 kg，电荷量用 C），算出来的频率 $f$ 单位是 Hz。常见错误是把角频率 $\omega_c$ 当成了频率 $f_c$，漏除了 $2\pi$。补漏二：第二章 / 杂质能级【题型19】类氢模型：杂质电离能与轨道半径估算题目：利用类氢原子模型，估算室温下 Si 中浅能级施主杂质（如磷 P）的电离能 $\Delta E_D$ 和基态电子的玻尔半径 $r$。已知 Si 的相对介电常数 $\varepsilon_r = 11.9$，电导有效质量 $m_n^* \approx 0.26 m_0$。与本征带隙 $E_g = 1.12\text{ eV}$ 比较，说明为何室温下杂质极易电离。解题过程：① 估算电离能：类氢模型中，杂质电离能相对于氢原子基态能量（13.6 eV）的修正公式为：$$\Delta E_D = 13.6 \times \frac{m_n^*/m_0}{\varepsilon_r^2}\text{ (eV)}$$$$\Delta E_D = 13.6 \times \frac{0.26}{(11.9)^2} = 13.6 \times \frac{0.26}{141.61} = 0.0249\text{ eV} \approx 25\text{ meV}$$② 估算玻尔半径：氢原子的基态半径为 $a_0 = 0.53$ Å。修正公式为：$$r = a_0 \times \frac{\varepsilon_r}{m_n^*/m_0} = 0.53 \times \frac{11.9}{0.26} \approx 24.2 \text{ Å} = 2.42\text{ nm}$$③ 比较与说明：室温热激发能 $k_0T \approx 0.026\text{ eV}$。算出的 $\Delta E_D \approx 0.025\text{ eV}$。因为 $\Delta E_D \le k_0T$，且远小于本征禁带宽度（$1.12\text{ eV}$），所以在室温下热涨落提供的能量已足以使绝大部分施主电子激发到导带，即发生充分电离。✎ 批注：这个公式不需要死记硬背复杂的 $\hbar, \varepsilon_0$ 的原版表达式，只要记住相对于氢原子的两个比例因子：能量正比于质量、反比于介电常数平方；半径反比于质量、正比于介电常数。补漏三：第三章 / 载流子分布【题型20】本征费米能级 $E_i$ 对禁带中线的偏移量题目：证明半导体的本征费米能级 $E_i$ 并不精确位于禁带中线。求 300K 时硅的 $E_i$ 偏离禁带中线多少电子伏特？已知 Si 的状态密度有效质量 $m_{dn} = 1.08 m_0$，$m_{dp} = 0.50 m_0$。解题过程：① 公式推导：本征半导体中 $n = p$，即：$$N_c \exp\left(-\frac{E_c - E_i}{k_0T}\right) = N_v \exp\left(-\frac{E_i - E_v}{k_0T}\right)$$两边取对数并整理出 $E_i$：$$2E_i = E_c + E_v + k_0T \ln\left(\frac{N_v}{N_c}\right)$$$$E_i = \frac{E_c + E_v}{2} + \frac{k_0T}{2} \ln\left[\left(\frac{m_{dp}}{m_{dn}}\right)^{3/2}\right] = \frac{E_c + E_v}{2} + \frac{3}{4} k_0T \ln\left(\frac{m_{dp}}{m_{dn}}\right)$$禁带中线记为 $E_{mid} = \frac{E_c + E_v}{2}$。② 代入硅的数据：$$\Delta E = E_i - E_{mid} = \frac{3}{4} \times 0.026 \times \ln\left(\frac{0.50}{1.08}\right)$$$$\Delta E = 0.0195 \times \ln(0.463) = 0.0195 \times (-0.770) \approx -0.015\text{ eV}$$结论：Si 的本征费米能级位于禁带中线下方 0.015 eV 处。由于偏移量很小，平时多作近似认为 $E_i \approx E_{mid}$。✎ 批注：由于导带和价带的态密度（也就是有效质量）不对称，为了使得导带电子数等于价带空穴数，费米能级必须向态密度较小（有效质量较小）的那个带“靠近”。硅的空穴质量轻，所以 $E_i$ 向下靠近价带。这属于常考的客观题结论与小计算。补漏四：第四章 / 导电性（重中之重！）【题型21】霍尔效应实战计算题目：一长方形半导体样品，厚度 $d = 1\text{ mm}$，宽度 $W = 2\text{ mm}$，置于 $B = 0.1\text{ T}$ 的磁场中。沿长度方向通入工作电流 $I = 1\text{ mA}$ 时，测得横向霍尔电压 $V_H = 1.6\text{ mV}$。测得该样品的电导率 $\sigma = 2.0\text{ S/cm}$。（假设霍尔散射因子 $r \approx 1$）求：① 该样品的导电类型；② 霍尔系数 $R_H$；③ 多子载流子浓度和霍尔迁移率。解题过程：① 导电类型：霍尔电压为正（按照右手螺旋惯例，若题目明确极性为正），表明载流子带正电，即该材料为 p型半导体。② 霍尔系数 $R_H$ 计算：霍尔电压公式：$V_H = R_H \frac{IB}{d}$，变形得：$R_H = \frac{V_H d}{IB}$。这里统一使用国际单位制计算：$V_H = 1.6 \times 10^{-3}\text{ V}$，$d = 10^{-3}\text{ m}$，$I = 10^{-3}\text{ A}$，$B = 0.1\text{ T}$$$R_H = \frac{(1.6 \times 10^{-3}) \times 10^{-3}}{10^{-3} \times 0.1} = \frac{1.6 \times 10^{-6}}{10^{-4}} = 0.016\text{ m}^3/\text{C}$$换算为常用单位：$1\text{ m}^3 = 10^6\text{ cm}^3$，故 $R_H = 1.6 \times 10^4\text{ cm}^3/\text{C}$。③ 载流子浓度与迁移率：对于 p型，$R_H = \frac{1}{qp_0}$：$$p_0 = \frac{1}{q R_H} = \frac{1}{1.602 \times 10^{-19} \times 1.6 \times 10^4} = \frac{1}{2.563 \times 10^{-15}} \approx 3.9 \times 10^{14}\text{ cm}^{-3}$$霍尔迁移率公式：$μ_H = R_H \cdot \sigma$ （注意此时 $R_H$ 用 $\text{cm}^3/\text{C}$，$\sigma$ 用 $\text{S/cm}$）$$μ_H = 1.6 \times 10^4 \times 2.0 = 3.2 \times 10^4\text{ cm}^2/\text{V}\cdot\text{s}$$✎ 批注：这是半导体物理实验和理论必考的综合题。绝对容易错的地方是单位换算！ 建议在算 $R_H$ 时用全套国际单位，算出 $\text{m}^3/\text{C}$，然后再乘 $10^6$ 变成 $\text{cm}^3/\text{C}$，之后再求浓度 $p_0$。一定要背熟公式 $μ_H = |R_H| \sigma$。【题型22】多重散射机制与 Matthiessen 定则题目：某 N型半导体在 300K 时，仅考虑声学声子散射的迁移率为 $μ_L = 1400\text{ cm}^2/\text{V}\cdot\text{s}$，仅考虑电离杂质散射的迁移率为 $μ_I = 2000\text{ cm}^2/\text{V}\cdot\text{s}$。① 求 300K 时的实际总迁移率；② 假设不考虑杂质浓度随温度变化，当温度上升至 400K 时，新的总迁移率大约是多少？（已知 $μ_L \propto T^{-3/2}$，$μ_I \propto T^{3/2}$）解题过程：① 300K 时总迁移率：根据 Matthiessen 规则，总迁移率倒数等于各散射机制迁移率倒数之和：$$\frac{1}{μ_{total}} = \frac{1}{μ_L} + \frac{1}{μ_I} = \frac{1}{1400} + \frac{1}{2000} = \frac{10}{14000} + \frac{7}{14000} = \frac{17}{14000}$$$$μ_{total} = \frac{14000}{17} \approx 823.5\text{ cm}^2/\text{V}\cdot\text{s}$$② 400K 时的温度折算：由温度依赖关系：声子散射：$μ_L(400\text{K}) = 1400 \times \left(\frac{300}{400}\right)^{3/2} = 1400 \times (0.75)^{1.5} \approx 1400 \times 0.6495 \approx 909\text{ cm}^2/\text{V}\cdot\text{s}$杂质散射：$μ_I(400\text{K}) = 2000 \times \left(\frac{400}{300}\right)^{3/2} = 2000 \times (1.333)^{1.5} \approx 2000 \times 1.539 \approx 3079\text{ cm}^2/\text{V}\cdot\text{s}$新的总迁移率：$$\frac{1}{μ'_{total}} = \frac{1}{909} + \frac{1}{3079}$$$$μ'_{total} = \frac{909 \times 3079}{909 + 3079} = \frac{2798811}{3988} \approx 701.8\text{ cm}^2/\text{V}\cdot\text{s}$$✎ 批注：注意两种机制对温度的依赖完全相反：高温下声子散射加剧，低温下杂质散射加剧。并联倒数求和法一定要牢记，算出结果必须比两者中最小的还要小（823 < 1400）。补漏五：第四/五章交叉区【题型23】由杂质梯度分布引发的自建电场（漂移扩散平衡）题目：设一处于热平衡状态的 N 型硅样品，施主杂质在 x 方向上呈指数分布：$N_D(x) = N_0 \exp(-x/L)$，其中常数 $L = 2\text{ μ m}$。设处于室温且杂质全电离，求材料内部产生的内建电场 $E$ 的大小和方向。解题过程：热平衡时，无净电流产生，即电子的漂移电流和扩散电流精确抵消：$$J_n = q n μ_n E + q D_n \frac{dn}{dx} = 0$$移项并利用爱因斯坦关系式（$\frac{D_n}{μ_n} = \frac{k_0T}{q}$）：$$q n μ_n E = - q D_n \frac{dn}{dx}$$$$E = - \frac{D_n}{μ_n} \frac{1}{n} \frac{dn}{dx} = - \frac{k_0T}{q} \frac{1}{n} \frac{dn}{dx}$$在多子区，$n(x) \approx N_D(x) = N_0 \exp(-x/L)$。对其求导：$$\frac{dn}{dx} = -\frac{N_0}{L} \exp(-x/L) = -\frac{n}{L}$$代入电场公式：$$E = - \frac{k_0T}{q} \frac{1}{n} \left(-\frac{n}{L}\right) = \frac{k_0T}{q L}$$代入数值（室温 $k_0T/q = 0.026\text{ V}$，$L = 2 \times 10^{-4}\text{ cm}$）：$$E = \frac{0.026}{2 \times 10^{-4}} = \frac{0.026}{0.0002} = 130\text{ V/cm}$$方向：电场符号为正，表示方向沿 x 轴正方向。（物理图像：电子沿 x 正方向浓度降低，向右扩散，导致左侧留下正电荷施主离子，从而形成向右的电场阻碍扩散）。✎ 批注：这类题极其经典，它巧妙地把第四章的漂移、第五章的扩散和爱因斯坦关系融合在一起。结论 $E = \frac{k_0T}{q} \frac{d(\ln n)}{dx}$ 在器件物理推导中无处不在，遇到“非均匀掺杂+热平衡”直接用这个公式！补漏六：第五章 / 非平衡载流子【题型24】瞬态非平衡载流子的衰减与光电导弛豫题目：有一掺杂 $N_D = 10^{15}\text{ cm}^{-3}$ 的 n 型 Si 样品（$μ_n = 1350, μ_p = 500\text{ cm}^2/\text{V}\cdot\text{s}$）。在一瞬间 ($t=0$) 受到一短促强光脉冲照射，产生了非平衡载流子 $\Delta n(0) = \Delta p(0) = 10^{14}\text{ cm}^{-3}$，照射随即停止。已知少子寿命 $\tau_p = 10\text{ μ s}$。① 计算光照停止 $10\text{ μ s}$ 后的过剩载流子浓度；② 计算 $t = 10\text{ μ s}$ 时样品的总电导率。解题过程：① 瞬态衰减：停止光照后，非平衡载流子按指数规律复合衰减：$$\Delta p(t) = \Delta p(0) \exp\left(-\frac{t}{\tau_p}\right)$$当 $t = 10\text{ μ s} = \tau_p$ 时：$$\Delta p(10\text{ μ s}) = 10^{14} \times \exp\left(-\frac{10}{10}\right) = 10^{14} \times e^{-1} \approx 10^{14} \times 0.3678 = 3.678 \times 10^{13}\text{ cm}^{-3}$$根据电中性条件，此时 $\Delta n = \Delta p = 3.678 \times 10^{13}\text{ cm}^{-3}$。② 求总电导率：暗电导率（平衡态下的本底电导率）：$$\sigma_0 \approx q N_D μ_n = 1.602 \times 10^{-19} \times 10^{15} \times 1350 = 0.216\text{ S/cm}$$（由于是强 n型，平衡态的少子 $p_0$ 贡献忽略不计）。此时光生附加电导率 $\Delta \sigma$：$$\Delta \sigma = q \Delta p (μ_n + μ_p) = 1.602 \times 10^{-19} \times 3.678 \times 10^{13} \times (1350 + 500)$$$$\Delta \sigma = 1.602 \times 10^{-19} \times 3.678 \times 10^{13} \times 1850 \approx 0.0109\text{ S/cm}$$总电导率：$$\sigma(t) = \sigma_0 + \Delta \sigma(t) = 0.216 + 0.0109 = 0.2269\text{ S/cm}$$✎ 批注：区别于你已有讲义里的“稳态强光照射（$\Delta p = g\tau$）”，这是典型的“瞬态脉冲光照（$\Delta p(t) = \Delta p_0 e^{-t/\tau}$）”。计算电导率时，总电导率等于暗电导率叠加附加光电导。另外注意在任何时候 $\Delta n$ 都等于 $\Delta p$。补漏七：第一章 / 基于 E(k) 关系的微积分求导思维【题型25】由能带 $E(k)$ 表达式求有效质量与群速度题目：假设某半导体的导带一维色散关系可以用余弦函数近似表示为：$$E(k) = E_c - 2A \cos(ka)$$其中，$a$ 为晶格常数，$A > 0$ 为能量参数。① 求导带底处的电子有效质量 $m_n^*$；② 求电子在该能带中的最大群速度 $v_{max}$ 以及对应发生的波矢 $k$ 位置。解题过程：① 求有效质量 $m_n^*$：导带底发生于能量极小值处，由表达式可知，当 $\cos(ka) = 1$ 即 $k=0$ 时，$E(k)$ 取最小值 $E_c - 2A$，此即导带底。电子有效质量的定义为：$\frac{1}{m^*} = \frac{1}{\hbar^2}\frac{d^2E}{dk^2}$。对 $E(k)$ 求一阶导数：$$\frac{dE}{dk} = 2Aa \sin(ka)$$对 $E(k)$ 求二阶导数：$$\frac{d^2E}{dk^2} = 2Aa^2 \cos(ka)$$在导带底（$k=0$）处：$$\frac{d^2E}{dk^2}\bigg|_{k=0} = 2Aa^2$$因此，导带底的有效质量为：$$m_n^* = \frac{\hbar^2}{2Aa^2}$$② 求最大群速度 $v_{max}$：群速度公式为：$v_g = \frac{1}{\hbar}\frac{dE}{dk} = \frac{2Aa}{\hbar}\sin(ka)$。要求群速度最大，即 $\sin(ka) = 1$（考虑正方向），此时 $ka = \frac{\pi}{2}$，即 $k = \frac{\pi}{2a}$。此时的最大群速度为：$$v_{max} = \frac{2Aa}{\hbar}$$✎ 批注：这是考察第一章核心物理概念的经典“剥洋葱”题型。它不考数值计算，而考查你对公式 $m^* \leftrightarrow d^2E/dk^2$ 和 $v_g \leftrightarrow dE/dk$ 的理解。记住：二阶导数越大（能带越陡峭），有效质量越小；一阶导数最大处（能带最陡的半山腰处），速度最快。补漏八：第三章 / 极限条件下的近似思维【题型26】深低温（冻结区）载流子浓度的精确计算题目：已知 N 型硅掺杂浓度为 $N_D = 10^{16}\text{ cm}^{-3}$，施主电离能 $\Delta E_D = 0.045\text{ eV}$。室温下 $N_c = 2.8 \times 10^{19}\text{ cm}^{-3}$。当温度降至极低（如 $T = 50\text{ K}$）时，求此时导带中的电子浓度 $n_0$。解题过程：① 判断温区并选取公式：低温下热激发能极小，施主杂质大部分未电离（处于冻结区）。此时应使用弱电离条件下的公式（考虑基态自旋简并因子常取2）：$$n_0 = \left(\frac{N_D N_c(T)}{2}\right)^{1/2} \exp\left(-\frac{\Delta E_D}{2k_0T}\right)$$② 重新计算 50K 时的 $N_c(50)$ 与 $k_0T$：状态密度随温度呈 $T^{3/2}$ 变化：$$N_c(50) = N_c(300) \times \left(\frac{50}{300}\right)^{3/2} = 2.8 \times 10^{19} \times \left(\frac{1}{6}\right)^{1.5} \approx 2.8 \times 10^{19} \times 0.068 = 1.9 \times 10^{18}\text{ cm}^{-3}$$计算 50K 的热电压：$$k_0T = 8.617 \times 10^{-5} \times 50 = 0.00431\text{ eV}$$③ 代入公式计算：$$\frac{\Delta E_D}{2k_0T} = \frac{0.045}{2 \times 0.00431} = \frac{0.045}{0.00862} \approx 5.22$$$$\exp(-5.22) \approx 5.4 \times 10^{-3}$$$$\left(\frac{N_D N_c(50)}{2}\right)^{1/2} = \sqrt{\frac{10^{16} \times 1.9 \times 10^{18}}{2}} = \sqrt{9.5 \times 10^{33}} \approx 9.75 \times 10^{16}\text{ cm}^{-3}$$最终得到：$$n_0 = 9.75 \times 10^{16} \times 5.4 \times 10^{-3} \approx 5.26 \times 10^{14}\text{ cm}^{-3}$$✎ 批注：这道题极易踩两个坑：一是直接用室温的 $N_c$ 去算（温度变化时，$N_c$ 必须重新算！）；二是在指数项里把分母的 $2k_0T$ 记成 $k_0T$。在极低温下，$n_0 \propto \exp(-\Delta E_D / 2kT)$ 是因为费米能级处于 $E_c$ 与 $E_D$ 的中间。结果显示，虽然掺杂了 $10^{16}$，但只有大约 5% 的杂质发生电离，这是“冻结”的直观体现。补漏九：第四章 / 几何与工程参数换算思维【题型27】方块电阻（薄层电阻）的计算与运用题目：在一块绝缘衬底上外延生长了一层厚度 $d = 2\text{ μ m}$ 的 N型硅薄膜，平均掺杂浓度 $N_D = 5 \times 10^{16}\text{ cm}^{-3}$。已知该浓度下的电子迁移率 $μ_n = 1000\text{ cm}^2/\text{V}\cdot\text{s}$。① 求该薄膜的电导率 $\sigma$ 和方块电阻 $R_{\square}$（也称薄层电阻 $R_s$）。② 若要用该材料光刻制作一个阻值为 $500\text{ k}\Omega$ 的电阻器，已知线宽限制为 $W = 5\text{ μ m}$，电阻的长条形设计长度 $L$ 应为多少？解题过程：① 求电导率 $\sigma$ 与 方块电阻 $R_{\square}$：由于是N型半导体，忽略少数载流子：$$\sigma = q n μ_n = 1.602 \times 10^{-19} \times 5 \times 10^{16} \times 1000 = 8.01\text{ S/cm}$$电阻率 $\rho = 1 / \sigma = 1 / 8.01 \approx 0.125\text{ }\Omega\cdot\text{cm}$。方块电阻定义为 $R_{\square} = \frac{\rho}{d}$，此处需将厚度 $d$ 统一单位为 cm：$d = 2\text{ μ m} = 2 \times 10^{-4}\text{ cm}$$$R_{\square} = \frac{0.125}{2 \times 10^{-4}} = 625\text{ }\Omega/\square$$② 求设计长度 $L$：薄膜电阻的公式为：$R = R_{\square} \frac{L}{W}$ （即方块电阻乘以“方块数”）。已知要求总电阻 $R = 500\text{ k}\Omega = 500,000\text{ }\Omega$。$$500000 = 625 \times \frac{L}{W}$$$$\frac{L}{W} = \frac{500000}{625} = 800$$由于 $W = 5\text{ μ m}$，则：$$L = 800 \times W = 800 \times 5\text{ μ m} = 4000\text{ μ m} = 4\text{ mm}$$✎ 批注：这是半导体器件和微电子工艺极其常见的考法（工程思维）。方块电阻 $R_{\square}$（单位通常写成 $\Omega/\square$）仅仅取决于材料性质($\rho$)和厚度($d$)，它表示任何一个正方形薄膜的电阻。后续只要算长宽比（有多少个正方形串联）就能立刻算出总阻值。注意所有的厚度 $d$ 都要化成 cm 以匹配 $\rho$ 的单位！补漏十：第五章 / 漂移与扩散双轨并行思维【题型28】海恩斯-肖克莱实验模型（脉冲展宽计算）题目：一根长度 $L = 2\text{ cm}$ 的 N 型锗棒，两端施加电压 $V_0 = 10\text{ V}$。在左端（$x=0$）处用激光打入一个极窄的空穴（少子）脉冲，经过时间 $t_d = 100\text{ μ s}$ 后，在右端（$x=2\text{ cm}$）检测到该脉冲的峰值到达。假设爱因斯坦关系成立，求：① 少数载流子（空穴）的漂移迁移率 $μ_p$；② 该脉冲到达终点时，由于扩散作用导致的“扩散特征展宽”（定义为 $\Delta x = \sqrt{4D_pt_d}$）是多少微米？（设温度 $T = 300\text{ K}$）解题过程：① 漂移迁移率计算：棒内均匀电场：$$E = \frac{V_0}{L} = \frac{10}{2} = 5\text{ V/cm}$$空穴在电场下的漂移速度（由脉冲峰值的移动决定）：$$v_d = \frac{L}{t_d} = \frac{2\text{ cm}}{100 \times 10^{-6}\text{ s}} = 20000\text{ cm/s}$$根据 $v_d = μ_p E$ 求迁移率：$$μ_p = \frac{v_d}{E} = \frac{20000}{5} = 4000\text{ cm}^2/\text{V}\cdot\text{s}$$② 扩散特征展宽计算：由于电场只导致整体脉冲移动（漂移），不导致形变，脉冲形状的展宽纯粹由扩散决定。利用爱因斯坦关系求扩散系数 $D_p$：$$D_p = μ_p \frac{k_0T}{q} = 4000 \times 0.026 = 104\text{ cm}^2/\text{s}$$将 $t_d$ 视为总的扩散时间，代入展宽公式：$$\Delta x = \sqrt{4 D_p t_d} = \sqrt{4 \times 104 \times 100 \times 10^{-6}} = \sqrt{4.16 \times 10^{-2}} \approx 0.204\text{ cm} = 2040\text{ μ m}$$✎ 批注：非常高级的物理题！这个实验是人类第一次直接同时测出半导体少数载流子迁移率和扩散系数的著名实验。思维核心：把“漂移（中心整体移动）”和“扩散（以中心为对称的向外变胖展宽）”进行拆分处理，两者互不干扰。补漏十一：第五章 / 微分方程与边界条件思维（全书最难数学点）【题型29】含表面复合的稳态非平衡载流子分布题目：一厚度足够大的 N 型半导体，内部受到均匀强光照射，体内的电子空穴对产生率为常数 $G_L$。少子寿命为 $\tau_p$，扩散长度为 $L_p = \sqrt{D_p \tau_p}$。在半导体表面（$x=0$）处，由于晶格缺陷，具有较高的表面复合速度 $S$。求：稳态下（$d\Delta p/dt = 0$）样品内过剩空穴分布 $\Delta p(x)$ 的表达式。解题过程：① 建立微分方程：考虑体内的扩散、复合与光产生，一维稳态连续性方程为：$$D_p \frac{d^2\Delta p}{dx^2} - \frac{\Delta p}{\tau_p} + G_L = 0$$② 求解通解：这是一个二阶常系数非齐次线性微分方程。特解：当 $x \to \infty$（深处受表面影响消失）时，分布应为均匀的 $\Delta p = G_L \tau_p$。对应齐次方程的通解为 $C_1 e^{-x/L_p} + C_2 e^{x/L_p}$。为了保证物理意义上的收敛（深度趋于无穷时浓度不能发散），必须取 $C_2 = 0$。故通解设为：$$\Delta p(x) = G_L \tau_p + C_1 e^{-x/L_p}$$③ 使用表面边界条件定常数：在 $x=0$ 表面，通过向表面扩散运送过去的载流子，被表面复合消耗掉。边界条件为：$$D_p \frac{d\Delta p}{dx}\bigg|_{x=0} = S \Delta p(0)$$（注：表面在 $x=0$，载流子从内部流向表面，所以扩散流方向向左，扩散电流 $J_p = -qD_p d(\Delta p)/dx$；此处流向表面消耗掉的颗粒流大小为 $S\Delta p(0)$，考虑到方向性，边界条件即为上述等式）。对 $\Delta p(x)$ 求导：$$\frac{d\Delta p}{dx} = -\frac{C_1}{L_p} e^{-x/L_p}$$代入 $x=0$：$$D_p \left( -\frac{C_1}{L_p} \right) = S (G_L \tau_p + C_1)$$整理得：$$-C_1 \left( \frac{D_p}{L_p} + S \right) = S G_L \tau_p$$$$C_1 = - \frac{S G_L \tau_p}{\frac{D_p}{L_p} + S}$$④ 写出最终表达式：$$\Delta p(x) = G_L \tau_p \left[ 1 - \frac{S}{S + \frac{D_p}{L_p}} e^{-x/L_p} \right]$$✎ 批注：这就是期末和考研中的“满分阻击题”。其思维难度在于：第一，要正确写出非齐次微分方程并想到通解=稳态特解($G_L\tau_p$)+衰减项($e^{-x/L_p}$)；第二，要理解“扩散项在表面的导数 = 表面复合率”这个极其核心的物理边界条件。注意看最后的公式：如果 $S \to 0$（表面很完美不复合），$\Delta p \equiv G_L\tau_p$（处处均匀）；如果 $S \to \infty$（表面是强复合死区），$\Delta p(0) \to 0$，即表面浓度被“死死钉在零点”。
半导体器件物理常考题型例题详解
半导体器件物理核心知识复习指南
一、核心常数与材料参数速查表1.1 基本物理常数常数符号数值基本电荷$q$$1.602 \times 10^{-19}$ C玻耳兹曼常数$k_0$$1.380 \times 10^{-23}$ J/K = $8.617 \times 10^{-5}$ eV/K室温热电压 (300K)$k_0T/q$$0.026$ eV（常取 $0.025$ eV）普朗克常数$h$$6.626 \times 10^{-34}$ J·s约化普朗克常数$\hbar = h/2\pi$$1.055 \times 10^{-34}$ J·s自由电子质量$m_0$$9.109 \times 10^{-31}$ kg真空介电常数$\varepsilon_0$$8.854 \times 10^{-14}$ F/cm1.2 Si、Ge、GaAs 材料常数（300K）参数SiGeGaAs禁带宽度 $E_g$ (eV)1.120.671.42（课件中取 1.428）本征载流子浓度 $n_i$ (cm⁻³)$1.5 \times 10^{10}$$2.4 \times 10^{13}$$1.1 \times 10^7$电子有效质量 $m_n^*$$0.26 m_0$$0.12 m_0$—空穴有效质量 $m_p^*$———导带态密度有效质量 $m_{dn}$$1.08 m_0$$0.56 m_0$—价带态密度有效质量 $m_{dp}$$0.50 m_0$$0.37 m_0$—导带有效状态密度 $N_c$ (cm⁻³)$2.8 \times 10^{19}$$1.05 \times 10^{19}$—价带有效状态密度 $N_v$ (cm⁻³)$1.1 \times 10^{19}$$5.7 \times 10^{18}$—电子迁移率 $\mu_n$ (cm²/V·s)$1350 \sim 1450$$3600 \sim 3900$—空穴迁移率 $\mu_p$ (cm²/V·s)$480 \sim 500$$1700 \sim 1900$—相对介电常数 $\varepsilon_r$11.91613.1原子密度 (cm⁻³)$5.0 \times 10^{22}$$4.4 \times 10^{22}$—高频考点：$k_0T = 0.026$ eV，$N_c \propto T^{3/2}$，$n_i^2 = n_0 p_0$二、能带与有效质量（回旋共振）2.1 等能面方程导带底附近（以 $k_0$ 为极值点）三维泰勒展开：$$E(\vec{k}) = E(k_0) + \frac{\hbar^2}{2}\left[\frac{(k_x - k_{0x})^2}{m_x^*} + \frac{(k_y - k_{0y})^2}{m_y^*} + \frac{(k_z - k_{0z})^2}{m_z^*}\right]$$旋转椭球面（纵向 $m_l$，横向 $m_t$）：$$E(k) = E_c + \frac{\hbar^2}{2}\left[\frac{k_1^2 + k_2^2}{m_t} + \frac{k_3^2}{m_l}\right]$$2.2 回旋共振频率球形等能面：$$\omega_c = \frac{qB}{m_n^*} \quad \Rightarrow \quad m_n^* = \frac{qB}{\omega_c}$$椭球形等能面（B方向余弦为 $\alpha_1, \alpha_2, \alpha_3$）：$$\omega_c = \frac{qB}{m_c^*}, \quad \frac{1}{(m_c^*)^2} = \frac{\alpha_1^2\alpha_2^2}{m_t^2 m_l} + \frac{\alpha_2^2\alpha_3^2}{m_t^2 m_l} + \frac{\alpha_1^2\alpha_3^2}{m_t^2 m_l} + \frac{1}{m_t m_l}(\text{组合项})$$计算流程：给定 B 方向 → 代入椭球有效质量公式 → 求解 $\omega_c$ → 换算有效质量2.3 硅锗材料的有效质量材料$m_l^*$$m_t^*$对称数 $s$$m_{dn} = s^{2/3}(m_l m_t^2)^{1/3}$Si (6个[100]椭球)$0.98 m_0$$0.19 m_0$6$1.08 m_0$Ge (4个[111]椭球)$1.64 m_0$$0.0819 m_0$4$0.56 m_0$三、杂质能级3.1 类氢模型估算电离能施主杂质电离能：$$\Delta E_D = \frac{m_n^*}{m_0} \cdot \frac{1}{\varepsilon_r^2} \cdot E_0 \quad (E_0 = 13.6 \text{ eV})$$受主杂质电离能：$$\Delta E_A = \frac{m_p^*}{m_0} \cdot \frac{1}{\varepsilon_r^2} \cdot E_0$$关键数据：Si $\varepsilon_r=12$，Ge $\varepsilon_r=16$；III/V族杂质电离能约 $0.01\sim0.16$ eV，远小于 $E_g$3.2 杂质补偿规则$N_D > N_A$：有效施主浓度 $N_D - N_A$，$n = N_D - N_A$$N_A > N_D$：有效受主浓度 $N_A - N_D$，$p = N_A - N_D$高度补偿：$N_D \approx N_A$，载流子极少四、载流子统计分布（重点）4.1 状态密度导带底（等能面为球面，极值在 $k=0$）：$$g_c(E) = \frac{(2m_n^*)^{3/2}}{2\pi^2 \hbar^3}(E - E_c)^{1/2}$$价带顶：$$g_v(E) = \frac{(2m_p^*)^{3/2}}{2\pi^2 \hbar^3}(E_v - E)^{1/2}$$多椭球时：用态密度有效质量 $m_{dn} = s^{2/3}(m_l m_t^2)^{1/3}$（Si: $s=6$，Ge: $s=4$）$N_c$、$N_v$ 的温度依赖：$$N_c = 2\left(\frac{2\pi m_n^* k_0 T}{h^2}\right)^{3/2} \propto T^{3/2}$$$$N_v = 2\left(\frac{2\pi m_p^* k_0 T}{h^2}\right)^{3/2} \propto T^{3/2}$$高频考点：$N_c(T_2) = N_c(T_1)\cdot(T_2/T_1)^{3/2}$4.2 费米分布函数$$f(E) = \frac{1}{1 + \exp\left(\dfrac{E-E_F}{k_0T}\right)}$$$E = E_F$ 时，$f(E_F) = 1/2$非简并条件（$E - E_F \gg k_0T$）退化为玻耳兹曼分布：$$f_B(E) = \exp\left(-\frac{E-E_F}{k_0T}\right)$$4.3 非简并半导体载流子浓度（核心公式）$$\boxed{n_0 = N_c \exp\left(-\frac{E_c - E_F}{k_0T}\right)}$$$$\boxed{p_0 = N_v \exp\left(-\frac{E_F - E_v}{k_0T}\right)}$$乘积公式（与 $E_F$ 无关）：$$n_0 p_0 = N_c N_v \exp\left(-\frac{E_g}{k_0T}\right) = n_i^2$$4.4 本征半导体$$n_i = p_i = \sqrt{N_c N_v}\exp\left(-\frac{E_g}{2k_0T}\right)$$本征费米能级：$$E_i = \frac{E_c + E_v}{2} + \frac{3k_0T}{4}\ln\frac{m_p^*}{m_n^*}$$室温下 Si/Ge $E_i$ 基本在禁带中线附近（偏差 $< 1.5k_0T$）4.5 杂质半导体载流子浓度（四温区讨论）计算主线：电中性条件 → 确定 $E_F$ → 代入 $n_0, p_0$ 公式低温弱电离区（$n_0 = n_D^+$，$p_0 \approx 0$）$$E_F = \frac{E_c + E_D}{2} + \frac{k_0T}{2}\ln\frac{N_D}{2N_c}$$$$n_0 = \left(\frac{N_D N_c}{2}\right)^{1/2}\exp\left(-\frac{\Delta E_D}{2k_0T}\right)$$其中 $\Delta E_D = E_c - E_D$ 为施主电离能强电离（饱和）区（全部电离，忽略本征激发）$$n_0 = N_D, \quad E_F = E_c + k_0T\ln\frac{N_D}{N_c}$$$$p_0 = \frac{n_i^2}{N_D}$$判断全电离条件（室温 Si 掺 P 为例）：$N_D \lesssim 3\times10^{17}$ cm⁻³过渡区（本征激发不可忽略，联立方程组）电中性条件：$n_0 = N_D + p_0$，结合 $n_0 p_0 = n_i^2$，得：$$n_0 = \frac{N_D}{2} + \sqrt{\left(\frac{N_D}{2}\right)^2 + n_i^2}$$$$p_0 = \frac{n_i^2}{n_0}$$当 $N_D \gg n_i$ 时：$n_0 \approx N_D + n_i^2/N_D$，$p_0 \approx n_i^2/N_D$当 $N_D \ll n_i$ 时：$n_0 \approx p_0 \approx n_i$（本征激发主导）p 型对称关系$$p_0 = N_A, \quad E_F = E_v - k_0T\ln\frac{N_A}{N_v}$$（强电离）$$p_0 = \frac{N_A}{2} + \sqrt{\left(\frac{N_A}{2}\right)^2 + n_i^2}$$（过渡区）4.6 费米能级位置计算由已知 $n_0$ 或 $p_0$ 反推 $E_F$：$$E_F = E_c - k_0T\ln\frac{N_c}{n_0} = E_i + k_0T\ln\frac{n_0}{n_i}$$$$E_F = E_v + k_0T\ln\frac{N_v}{p_0} = E_i - k_0T\ln\frac{p_0}{n_i}$$两施主/受主同时存在：用有效净掺杂量代替单一掺杂量五、半导体导电性5.1 基本电导率公式$$\sigma = q(n\mu_n + p\mu_p)$$$$\rho = \frac{1}{\sigma}$$类型公式n 型 ($n \gg p$)$\sigma \approx qn\mu_n$p 型 ($p \gg n$)$\sigma \approx qp\mu_p$本征$\sigma = qn_i(\mu_n + \mu_p)$由电阻率求本征载流子浓度：$$n_i = \frac{1}{\rho_i q(\mu_n + \mu_p)}$$5.2 迁移率与平均自由时间$$\mu_n = \frac{q\tau_n}{m_n^*}, \quad \mu_p = \frac{q\tau_p}{m_p^*}$$5.3 散射机制与迁移率温度关系散射机制散射概率迁移率电离杂质散射$P_i \propto N_i T^{-3/2}$$\mu_i \propto N_i^{-1} T^{3/2}$声学波散射$P_s \propto T^{3/2}$$\mu_s \propto T^{-3/2}$多散射并联（Matthiessen 定则）：$$\frac{1}{\mu} = \sum_i \frac{1}{\mu_i} \quad \Leftrightarrow \quad \frac{1}{\tau} = \sum_i \frac{1}{\tau_i}$$综合公式：$$\mu = \frac{q}{m^*} \cdot \frac{1}{AT^{3/2} + BN_i/T^{3/2}}$$5.4 计算流程由题给 $\rho$ 或 $\sigma$ 确定 $n_i$（本征）或 $n_0, p_0$（掺杂）利用电中性条件联立 $n_0 p_0 = n_i^2$计算电导率 $\sigma = q(n_0\mu_n + p_0\mu_p)$由 $J = \sigma E$ 求电场（$E = J/\sigma$）典型例题路径（补偿 Ge）：$$n_i = \frac{1}{\rho_i q(\mu_n + \mu_p)} \xrightarrow{\text{电中性}} \begin{cases}p_0 + N_D^+ = n_0 + N_A^-\\n_0 p_0 = n_i^2\end{cases} \xrightarrow{\text{联立}} n_0, p_0 \xrightarrow{} \sigma \xrightarrow{E = J/\sigma} J$$六、非平衡载流子6.1 附加电导率光注入产生非平衡载流子 $\Delta n = \Delta p$：$$\Delta\sigma = q\Delta p(\mu_n + \mu_p)$$6.2 非平衡载流子寿命小注入（$\Delta p \ll n_0 + p_0$），指数衰减：$$\Delta p(t) = (\Delta p)_0 e^{-t/\tau}$$直接复合净复合率：$$U_d = r(np - n_i^2)$$小注入下寿命（n 型为例）：$$\tau \approx \frac{1}{rn_0}$$间接复合（S-R-H 理论，单一复合中心 $N_t$）：$$U = \frac{N_t r_n r_p (np - n_i^2)}{r_n(n+n_1) + r_p(p+p_1)}$$其中：$n_1 = N_c\exp\!\left(\dfrac{E_t - E_c}{k_0T}\right)$，$p_1 = N_v\exp\!\left(\dfrac{E_v - E_t}{k_0T}\right)$，满足 $n_1 p_1 = n_i^2$强 n 型小注入（$n_0 \gg p_0, n_1, p_1$）：$$\tau_p \approx \frac{1}{N_t r_p}$$强 p 型小注入：$$\tau_n \approx \frac{1}{N_t r_n}$$复合中心捕获截面：$r_n = \sigma_n v_T$，$r_p = \sigma_p v_T$，$v_T = \sqrt{3k_0T/m^*}$有效复合中心条件：$r_n \approx r_p$，且能级在禁带中央附近（$E_t \approx E_i$）时复合率最大6.3 准费米能级非平衡状态下：$$n = n_i\exp\frac{E_{Fn} - E_i}{k_0T}, \quad p = n_i\exp\frac{E_i - E_{Fp}}{k_0T}$$$$np = n_i^2\exp\frac{E_{Fn} - E_{Fp}}{k_0T}$$$|E_{Fn} - E_{Fp}|$ 越大，偏离平衡态越远；两者重合 → 恢复平衡6.4 扩散方程与扩散长度菲克定律（空穴）：$$S_p = -D_p \frac{d\Delta p}{dx}$$一维稳态扩散方程：$$D_p \frac{d^2\Delta p}{dx^2} = \frac{\Delta p}{\tau}$$通解：$\Delta p(x) = A e^{-x/L_p} + B e^{x/L_p}$扩散长度：$L_p = \sqrt{D_p \tau}$（空穴平均扩散距离）样品足够厚（$x=0$ 处注入，$x\to\infty$ 时 $\Delta p\to 0$）：$$\Delta p(x) = (\Delta p)_0 e^{-x/L_p}$$表面处扩散电流密度：$J_p\big|_{x=0} = qD_p(\Delta p)_0/L_p$样品厚度 $W \ll L_p$（线性分布）：$$\Delta p(x) \approx (\Delta p)_0\left(1 - \frac{x}{W}\right), \quad \frac{d\Delta p}{dx} = -\frac{(\Delta p)_0}{W}$$6.5 爱因斯坦关系（重要）$$\boxed{\frac{D_n}{\mu_n} = \frac{D_p}{\mu_p} = \frac{k_0T}{q}}$$室温下 $k_0T/q = 0.026$ V，故 $D = 0.026\mu$总电流密度（漂移 + 扩散）：$$J_p = qp\mu_p|E| - qD_p\frac{d\Delta p}{dx}$$$$J_n = qn\mu_n|E| + qD_n\frac{d\Delta n}{dx}$$6.6 稳态光照下过剩载流子产生率 $g_p$，寿命 $\tau$，稳态时：$$\frac{d\Delta p}{dt} = g_p - \frac{\Delta p}{\tau} = 0 \quad \Rightarrow \quad \Delta p = g_p\tau$$七、pn 结7.1 接触电势差（内建电场）$$V_D = \frac{k_0T}{q}\ln\frac{n_{n0}}{n_{p0}} = \frac{k_0T}{q}\ln\frac{N_A N_D}{n_i^2}$$或：$qV_D = E_{Fn} - E_{Fp}$（两侧费米能级之差）7.2 耗尽层宽度（突变结）电中性条件：$N_A x_p = N_D x_n$无外压时总宽度：$$x_D = x_n + x_p = \sqrt{\frac{2\varepsilon_r\varepsilon_0}{q}\cdot\frac{N_A + N_D}{N_A N_D}\cdot V_D}$$外加偏压 $V$（正偏取正，反偏取负）：$$x_D(V) = \sqrt{\frac{2\varepsilon_r\varepsilon_0(V_D - V)}{q}\cdot\frac{N_A + N_D}{N_A N_D}}$$单侧突变结 $p^+n$（$N_A \gg N_D$）：$$x_n = \sqrt{\frac{2\varepsilon_r\varepsilon_0(V_D - V)}{qN_D}}$$计算流程：$$N_D = \frac{1}{\rho_n q\mu_n}, \quad N_A = \frac{1}{\rho_p q\mu_p} \xrightarrow{} V_D = \frac{k_0T}{q}\ln\frac{N_A N_D}{n_i^2} \xrightarrow{} x_D$$7.3 理想 pn 结电流方程（肖克莱方程）边界处少子注入浓度：$$\Delta p_n(x_n) = p_{n0}\left[\exp\frac{qV}{k_0T} - 1\right]$$$$\Delta n_p(-x_p) = n_{p0}\left[\exp\frac{qV}{k_0T} - 1\right]$$总电流密度：$$J = J_s\left[\exp\frac{qV}{k_0T} - 1\right]$$反向饱和电流密度：$$J_s = \frac{qD_p p_{n0}}{L_p} + \frac{qD_n n_{p0}}{L_n}$$其中 $p_{n0} = n_i^2/N_D$，$n_{p0} = n_i^2/N_A$，$L_p = \sqrt{D_p\tau_p}$，$L_n = \sqrt{D_n\tau_n}$正向大电流：$J \approx J_s\exp(qV/k_0T)$反向饱和（$q|V| \gg k_0T$）：$J \approx -J_s$实际 pn 结修正：加入复合/产生电流时 $J \propto \exp(qV/mk_0T)$，$m=1$（扩散电流主导）或 $m=2$（复合电流主导）7.4 pn 结势垒电容突变结：$$C_T = \frac{\varepsilon_r\varepsilon_0 A}{x_D} = A\sqrt{\frac{q\varepsilon_r\varepsilon_0}{2(V_D - V)}\cdot\frac{N_A N_D}{N_A + N_D}}$$$$\frac{1}{C_T^2} = \frac{2(V_D - V)}{q\varepsilon_r\varepsilon_0}\cdot\frac{N_A + N_D}{N_A N_D}$$线性缓变结（$\alpha_j$ 为杂质梯度）：$$x_D = \left(\frac{12\varepsilon_r\varepsilon_0 V_D}{q\alpha_j}\right)^{1/3}$$（无外压），外加电压 $V$ 时将 $V_D$ 替换为 $V_D - V$$C_T$-$V$ 特性图斜率 → 提取掺杂浓度；反向偏压越大，$C_T$ 越小7.5 击穿电压雪崩击穿（轻掺杂，低 $N_D$）：由碰撞电离引起，$V_{BR}$ 较高隧道击穿（齐纳击穿）（重掺杂，高 $N$，$V_{BR}$ 约 $< 6$ V）：$qEx > E_g$ 时发生热电击穿：$J_s \propto n_i^2 \propto T^3\exp(-E_g/k_0T)$，温度升高引起热失控八、肖特基势垒与欧姆接触8.1 肖特基势垒基本参数参数公式理想肖特基势垒$\phi_{B0} = \phi_m - \chi$内建电势差$V_{bi} = \phi_{B0} - \phi_n$，其中 $\phi_n = (E_c - E_F)/q$8.2 空间电荷区宽度$$W = \sqrt{\frac{2\varepsilon_s(V_{bi} + V_R)}{qN_d}}$$（外加反偏 $V_R$）电容：$$C = \frac{\varepsilon_s}{W}, \quad \frac{1}{C^2} = \frac{2(V_{bi} + V_R)}{q\varepsilon_s N_d}$$8.3 热电子发射电流方程$$J = A^* T^2\exp\!\left(-\frac{e\phi_{Bn}}{kT}\right)\left[\exp\!\left(\frac{eV_a}{kT}\right) - 1\right]$$反向饱和电流密度：$J_{sT} = A^* T^2\exp(-e\phi_{Bn}/kT)$有效理查德森常数：$A^* = 4\pi em_n^* k^2/h^3$（Si: 120 A/cm²K²，GaAs: 1.12 A/cm²K²）8.4 肖特基 vs pn 结对比参数肖特基结pn 结导通机制多子热电子发射少子注入扩散开启电压~0.3 V~0.6 V开关速度ps 量级ns 量级反向饱和电流远大于 pn 结较小九、典型计算题路径总结路径 1：由电阻率求载流子浓度$$\rho_i = \frac{1}{qn_i(\mu_n+\mu_p)} \Rightarrow n_i$$路径 2：由掺杂浓度求费米能级位置$$E_F = E_c + k_0T\ln\frac{N_D}{N_c} \text{（n型强电离）}$$$$E_F - E_i = k_0T\ln\frac{n_0}{n_i} = k_0T\ln\frac{N_D}{n_i}$$路径 3：过渡区载流子浓度（联立方程）$$\begin{cases}n_0 = N_D + p_0\\n_0 p_0 = n_i^2\end{cases} \Rightarrow n_0 = \frac{N_D + \sqrt{N_D^2 + 4n_i^2}}{2}$$路径 4：扩散长度 → 寿命$$\tau_n = \frac{L_n^2}{D_n} = \frac{L_n^2}{\mu_n \cdot k_0T/q}$$（通过爱因斯坦关系）路径 5：pn 结势垒高度与宽度$$V_D = \frac{k_0T}{q}\ln\frac{N_A N_D}{n_i^2}$$，再按 p⁺n/n⁺p 近似求 $x_n$ 或 $x_p$路径 6：非平衡光注入的准费米能级先由平衡态求 $n_0, p_0, E_F$；注入后 $n = n_0 + \Delta n$，$p = p_0 + \Delta p$：$$E_{Fn} = E_i + k_0T\ln\frac{n}{n_i}, \quad E_{Fp} = E_i - k_0T\ln\frac{p}{n_i}$$十、关键公式汇编$$n_0 p_0 = n_i^2 \quad \text{（适用所有非简并半导体，与} E_F \text{无关）}$$$$n_i = \sqrt{N_c N_v}\exp\!\left(-\frac{E_g}{2k_0T}\right)$$$$\sigma = q(n\mu_n + p\mu_p), \quad \rho = 1/\sigma$$$$\frac{D}{\mu} = \frac{k_0T}{q} \approx 0.026 \text{ V（室温）}$$$$L = \sqrt{D\tau}, \quad \Delta p(x) = (\Delta p)_0 e^{-x/L}$$$$J = J_s\left[e^{qV/k_0T} - 1\right], \quad J_s = \frac{qD_p p_{n0}}{L_p} + \frac{qD_n n_{p0}}{L_n}$$$$V_D = \frac{k_0T}{q}\ln\frac{N_A N_D}{n_i^2}$$$$x_D = \sqrt{\frac{2\varepsilon_r\varepsilon_0(V_D-V)}{q}\cdot\frac{N_A+N_D}{N_A N_D}}$$$$\tau_p \approx \frac{1}{N_t r_p}, \quad \tau_n \approx \frac{1}{N_t r_n}$$（强型材料，间接复合）$$N_c(T) = N_c(300\text{K})\cdot\left(\frac{T}{300}\right)^{3/2}$$